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在磁控溅射设备使用过程中，具体工艺过程对薄膜性能影响很大，主要工艺流程如下：
（1）基片清洗，主要是用异丙醇蒸汽清洗，随后用乙醇、丙酮浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污；
（2）抽真空，真空须控制在2 × 104 Pa以上，以保证薄膜的纯度；
（3）加热，为了除去基片表面水分，提高膜与基片的结合力，需要对基片进行加热，温度一般选择在150 ℃~200 ℃之间；
（4）氩气分压，一般选择在0.01一lPa范围内，以满足辉光放电的气压条件；
（5）预溅射，预溅射是通过离子轰击以除去靶材表面氧化膜，以免影响薄膜质量；
（6）溅射，氩气电离后形成的正离子在正交的磁场和电场的作用下，高速轰击靶材，使溅射出的靶材粒子到达基片表面沉积成膜；
（7）退火，薄膜与基片的热膨胀系数有差异，结合力小，退火时薄膜与基片原子相互扩散可以有效提高粘着力。
磁控溅射镀膜技术由于其显著的优点已经成为制备薄膜的主要技术之一。非平衡磁控溅射改善了等离子体区域的分布，显著提高了薄膜的质量。中频溅射镀膜技术的发展有效克服了反应溅射过程中出现的打弧现象，减少了薄膜的结构缺陷，明显提高了薄膜的沉积速率。高速溅射、高能脉冲磁控溅射镀膜技术为溅射镀膜开辟了崭新的研究领域。在未来的研究中，新溅射技术向生活领域的推广、磁控溅射镀膜技术与计算机的结合都将成为研究热点，利用计算机模拟镀膜时的磁场、电场、温度场、以及等离子体的分布，必将能给溅射镀膜技术的发展提供巨大的扩展空间，推动磁控溅射镀膜技术向工业及生活领域转化。
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