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磁控溅射的作业原理

2022-07-26 18:40:10

磁控溅射的作业原理是指电子在电场E的效果下,在飞向基片进程中与氩原子发生磕碰,使其电离发生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场效果下加速飞向阴靶,并以高能量炮击靶外表,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子堆积在基片上形成薄膜,而发生的二次电子会遭到电场和磁场效果,发生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线方式在靶外表做圆周运动,它们的运动路径不只很长,而且被束缚在靠近靶外表的等离子体区域内,并且在该区域中电离出很多的Ar 来炮击靶材,从而实现了高的堆积速率。跟着磕碰次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶外表,并在电场E的效果下终堆积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。

磁控溅射

磁控溅射是入射粒子和靶的磕碰进程。入射粒子在靶中经历复杂的散射进程,和靶原子磕碰,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子磕碰,形成级联进程。在这种级联进程中某些外表邻近的靶原子取得向外运动的足够动量,脱离靶被溅射出来。

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