研发设施 在公司实验室内配置了具有高度安全性的监测系统用于监控和处理各类危险有毒气体,比如硅烷等。
(1) 大面积团簇型薄膜沉积系统:最 大衬底面积可达30厘米×40厘米,具有6个PECVD腔室(配有射频,甚高频电源以及具有脉冲调制功能)和1个双靶位溅射系统(配有直流和射频电源),以及多片仓位功能。整个操作可由电脑控制。
(2) 热蒸发系统用于制作金属电极。
(3) 太阳电池测试系统:配有符合AM1.5G光谱的氙灯光源。可用于测量电池的光暗I-V曲线和量子效率。也可用作测试各类半导体薄膜的光暗电导率以及γ参数。
(4) 电导率激活能测试系统。
(5) 红外光谱测试仪。
(6) 紫外至红外光的透射和反射测量仪,配置有积分球。
(7) 椭偏仪用于测量薄膜厚度和介电常数。
(8) 台阶仪用于测量薄膜厚度。
(9) 光发射谱仪用于实时监控等离子体过程。
(10) 各种光源,滤波片,示波仪,显微镜以及其它实验室通用仪器。